gowing

Product description

Cung cấp các dịch vụ và sản phẩm chất lượng của gowing. Tận hưởng chất lượng và sự hài lòng từ gowing.Mặc dù pin lithium-ion hiện là tiêu chuẩn, nhưng chi phí sản xuất cao và sự phụ thuộc vào kim loại hiếm đã trở thành rào cản lớn trong việc mở rộng thị trường xe điện (EV) và giảm thiểu việc sử dụng nhiên liệu hóa thạch.Công nghệ đến từ CALT có thể mở ra cơ hội giúp pin natri-ion trở thành một lựa chọn khả thi trên thị trường chính thống. Theo dự báo, sản xuất pin natri-ion sẽ tăng trưởng mạnh mẽ, đạt 140 gigawatt-giờ vào năm 2030, gấp 13 lần so với hiện tại. Trong khi đó, sản xuất pin lithium-ion cũng dự kiến sẽ tăng gấp ba lần trong cùng thời gian.Nhà phân tích Catherine Peake tại Benchmark cho biết "Động lực chính thúc đẩy thị trường pin natri-ion là khả năng cạnh tranh về chi phí với pin lithium-ion".Pin natri-ion có lợi thế về chi phí sản xuất thấp hơn, sử dụng nguyên liệu dễ khai thác và dồi dào hơn, đồng thời có nguy cơ cháy nổ thấp hơn nhờ vào cấu trúc vật liệu catốt ít phản ứng hơn. Tuy nhiên, nhược điểm của chúng là trọng lượng nặng hơn, dẫn đến phạm vi hoạt động giảm, điều này đòi hỏi cần nhiều nghiên cứu để cải thiện tính khả thi cho người tiêu dùng.Một số nhà sản xuất ô tô Trung Quốc đã bắt đầu sử dụng pin natri-ion cho các dòng xe tiết kiệm và chúng cũng đã được áp dụng trong các dịch vụ lưu trữ lưới điện, nơi trọng lượng không phải là yếu tố quan trọng. Đặc biệt, pin natri-ion vẫn có khả năng sạc ở nhiệt độ dưới 0 độ - một điểm yếu của pin lithium-ion.Không chỉ Trung Quốc, Mỹ cũng đã phát triển pin natri-ion trong một thời gian. Phòng thí nghiệm quốc gia Argonne của Mỹ cũng đã nhận được 50 triệu USD tài trợ để phát triển công nghệ pin natri bền vững trong vòng 5 năm tới. Christopher Johnson, nhà hóa học cao cấp tại Argonne, cho biết: "Chương trình pin của chúng tôi đã nghiên cứu pin natri-ion trong hơn một thập kỷ. Thiết kế cấu trúc catốt của chúng tôi giúp pin natri-ion trở thành giải pháp thay thế hấp dẫn cho xe điện bền vững và tiết kiệm chi phí".Giám đốc Paul Kearns của Argonne nhấn mạnh rằng công nghệ pin natri-ion sẽ góp phần vào việc chuyển đổi nhiều loại xe sử dụng nhiên liệu hóa thạch sang các nguồn năng lượng bền vững hơn, như năng lượng mặt trời và gió, từ đó giúp giải quyết vấn đề ô nhiễm toàn cầu. ️

Ước mơ lúc bấy giờ của Nguyễn Trọng Nhân cũng như rất nhiều VĐV khác ở Việt Nam, đó là danh hiệu IFBB PRO. Đó là khi bạn trở thành người chiến thắng tuyệt đối (toàn năng) ở các giải đấu do Liên đoàn Thể dục thể hình quốc tế (IFBB) tổ chức ở Việt Nam (thời điểm năm 2019 là Muscle Contest Vietnam).️

Theo TomsHardware, tại sự kiện Investor Day (Mỹ) diễn ra tuần trước, Sandisk đã giới thiệu nền tảng UltraQLC, công nghệ đóng vai trò quan trọng trong việc phát triển ổ SSD có dung lượng lên đến 1 petabyte (PB). UltraQLC không phải là một loại bộ nhớ độc lập mà là sự kết hợp giữa BICS 8 QLC 3D NAND, bộ điều khiển với 64 kênh NAND và phần mềm tối ưu hóa.Bộ điều khiển đóng vai trò then chốt trong nền tảng này, tích hợp các bộ tăng tốc phần cứng chuyên biệt giúp giảm độ trễ, tăng băng thông và cải thiện độ tin cậy. Ngoài ra, nó có thể điều chỉnh công suất tiêu thụ theo nhu cầu xử lý, tối ưu hóa hiệu suất năng lượng.Theo Sandisk, các ổ SSD UltraQLC ban đầu sẽ sử dụng chip nhớ 2 terabit (Tb) NAND, cho phép tạo ra các ổ có dung lượng 128 terabyte (TB). Trong tương lai, với sự ra đời của các chip NAND dung lượng lớn hơn, công ty đặt mục tiêu phát triển ổ SSD 256 TB, 512 TB và cuối cùng là 1 PB. Tuy nhiên, việc tăng dung lượng đồng nghĩa với nguy cơ suy giảm hiệu năng, điều mà Sandisk cần giải quyết để đảm bảo ổn định hệ thống.Bên cạnh UltraQLC, Sandisk cũng đề cập đến một công nghệ quan trọng khác: DRAM 3D. Khi nhu cầu bộ nhớ ngày càng tăng do sự phát triển của trí tuệ nhân tạo (AI) và các mô hình ngôn ngữ lớn (LLM), công ty nhận định rằng phương pháp mở rộng DRAM truyền thống đang dần không đáp ứng được yêu cầu. Tuy nhiên, dù đã nghiên cứu trong thời gian dài, Sandisk thừa nhận vẫn chưa có lộ trình rõ ràng cho DRAM 3D do các thách thức công nghệ quá lớn.Thay vì tập trung vào DRAM 3D, Sandisk đang tìm kiếm giải pháp thay thế như bộ nhớ hiệu suất cao (HBF), giúp tăng khả năng mở rộng bộ nhớ mà không phụ thuộc vào phương pháp truyền thống. Trong khi đó, một số cách tiếp cận khác như đầu tư mạnh vào sản xuất DRAM hay phát triển DRAM theo hướng 3D vẫn được xem xét nhưng chưa khả thi trong thời điểm hiện tại. ️