Newcastle mua xong Kieran Trippier, giật luôn ngôi sao Man City muốn mua giá 50 triệu bảng
Tranh chấp giữa Arm và Qualcomm đang có dấu hiệu hạ nhiệt khi Qualcomm xác nhận một bước ngoặt quan trọng trong vụ kiện. Theo Sascha Segan, Quản lý cấp cao về Quan hệ công chúng tại Qualcomm, Arm đã rút lại thông báo vi phạm ngày 22.10.2024 và không có kế hoạch chấm dứt Thỏa thuận Cấp phép Kiến trúc Qualcomm.Bên phía Arm, trong buổi báo cáo tài chính quý, Giám đốc tài chính (CFO) Jason Child khẳng định rằng vụ kiện sẽ không ảnh hưởng đến doanh thu của công ty. Ông nhấn mạnh Arm đã dự đoán trước kết quả bất lợi khi lập kế hoạch tài chính, đồng thời cho rằng mục đích chính của vụ kiện là bảo vệ tài sản trí tuệ. Tuy nhiên, về mặt tài chính, Arm đã giả định rằng Qualcomm vẫn sẽ tiếp tục trả tiền bản quyền với mức tương đương hiện tại.Vụ kiện xoay quanh dòng vi xử lý Snapdragon X của Qualcomm, vốn được trang bị nhân Oryon - yếu tố cốt lõi của tranh chấp giữa hai công ty. Nếu Arm giành chiến thắng, dòng chip này có thể bị ảnh hưởng nghiêm trọng. Nhưng với việc Arm thể hiện dấu hiệu từ bỏ, Qualcomm có lý do để lạc quan về triển vọng của mình.Cuộc chiến pháp lý giữa hai bên bắt đầu từ năm 2021 khi Qualcomm mua lại công ty thiết kế CPU Nuvia. Arm cáo buộc thương vụ này khiến cả Nuvia và Qualcomm vi phạm thỏa thuận cấp phép, sử dụng trái phép công nghệ của Arm để phát triển chip Oryon. Kết quả của vụ kiện có thể ảnh hưởng đến không chỉ Qualcomm mà còn cả những tập đoàn lớn như Nvidia, Microsoft và Apple.Một bước ngoặt quan trọng đã xảy ra vào tháng 12.2024 khi bồi thẩm đoàn đưa ra phán quyết có lợi cho Qualcomm trong hai trên ba cáo buộc của Arm. Sau đó, Qualcomm đã ra tuyên bố hoan nghênh quyết định này, khẳng định rằng sản phẩm của họ tuân thủ hợp đồng với Arm và sẽ tiếp tục phát triển các vi xử lý hiệu năng cao.Dù vụ kiện chưa hoàn toàn kết thúc, những diễn biến gần đây cho thấy Arm có thể chấp nhận thất bại, mở đường cho Qualcomm tiếp tục phát triển dòng chip Snapdragon X mà không gặp trở ngại pháp lý lớn trong thời gian tới.Công ty PouYuen Việt Nam sắp tuyển mới 1.000 lao động
Căng thẳng tại Trung Đông gia tăng, lo ngại gián đoạn nguồn cung ở khu vực này đã đẩy giá dầu leo dốc. Tuy vậy, trước áp lực các chỉ số kinh tế, chi tiêu tiêu dùng cá nhân ở Mỹ tăng, khiến kỳ vọng Cục Dự trữ liên bang Mỹ (Fed) sẽ cắt giảm lãi suất trong tháng 6 tiêu tan, đẩy giá dầu trượt dốc. Các dự báo cho rằng, khả năng cao Fed sẽ lùi thời hạn cắt giảm lãi suất sang tháng 9. Hiện lãi suất tham chiếu tại Mỹ vào khoảng 5,25 - 5,5% - cao nhất trong 22 năm. Từ tháng 3.2022 đến nay, Fed đã nâng lãi suất 11 lần để kiềm chế lạm phát.
The Grand Ho Tram, điểm đến thu hút sự kiện quốc tế và hội nghị đẳng cấp
Đội bóng của ĐH Cần Thơ
Theo TomsHardware, tại sự kiện Investor Day (Mỹ) diễn ra tuần trước, Sandisk đã giới thiệu nền tảng UltraQLC, công nghệ đóng vai trò quan trọng trong việc phát triển ổ SSD có dung lượng lên đến 1 petabyte (PB). UltraQLC không phải là một loại bộ nhớ độc lập mà là sự kết hợp giữa BICS 8 QLC 3D NAND, bộ điều khiển với 64 kênh NAND và phần mềm tối ưu hóa.Bộ điều khiển đóng vai trò then chốt trong nền tảng này, tích hợp các bộ tăng tốc phần cứng chuyên biệt giúp giảm độ trễ, tăng băng thông và cải thiện độ tin cậy. Ngoài ra, nó có thể điều chỉnh công suất tiêu thụ theo nhu cầu xử lý, tối ưu hóa hiệu suất năng lượng.Theo Sandisk, các ổ SSD UltraQLC ban đầu sẽ sử dụng chip nhớ 2 terabit (Tb) NAND, cho phép tạo ra các ổ có dung lượng 128 terabyte (TB). Trong tương lai, với sự ra đời của các chip NAND dung lượng lớn hơn, công ty đặt mục tiêu phát triển ổ SSD 256 TB, 512 TB và cuối cùng là 1 PB. Tuy nhiên, việc tăng dung lượng đồng nghĩa với nguy cơ suy giảm hiệu năng, điều mà Sandisk cần giải quyết để đảm bảo ổn định hệ thống.Bên cạnh UltraQLC, Sandisk cũng đề cập đến một công nghệ quan trọng khác: DRAM 3D. Khi nhu cầu bộ nhớ ngày càng tăng do sự phát triển của trí tuệ nhân tạo (AI) và các mô hình ngôn ngữ lớn (LLM), công ty nhận định rằng phương pháp mở rộng DRAM truyền thống đang dần không đáp ứng được yêu cầu. Tuy nhiên, dù đã nghiên cứu trong thời gian dài, Sandisk thừa nhận vẫn chưa có lộ trình rõ ràng cho DRAM 3D do các thách thức công nghệ quá lớn.Thay vì tập trung vào DRAM 3D, Sandisk đang tìm kiếm giải pháp thay thế như bộ nhớ hiệu suất cao (HBF), giúp tăng khả năng mở rộng bộ nhớ mà không phụ thuộc vào phương pháp truyền thống. Trong khi đó, một số cách tiếp cận khác như đầu tư mạnh vào sản xuất DRAM hay phát triển DRAM theo hướng 3D vẫn được xem xét nhưng chưa khả thi trong thời điểm hiện tại.
iPhone 15 Pro không phải là vũ khí chơi game như mong đợi
Đến hơn 11 giờ ngày 21.3, lực lượng Công an tỉnh Vĩnh Long vẫn đang phối hợp Công an TT.Long Hồ (H.Long Hồ) điều tra nguyên nhân vụ việc 2 người tử vong trong căn nhà thuê.Thông tin ban đầu, sáng cùng ngày, cháu của 2 người tử vong nói trên đến căn nhà hai người này thuê nằm ven QL53 (thuộc khóm 5, TT.Long Hồ), gọi nhưng không thấy ai trả lời.Nhìn qua cửa, người cháu phát hiện 2 người thân nằm bất động. Nghi có chuyện chẳng lành, người này liền trình báo công an.Lực lượng công đến nơi, phá khóa vào (cửa khóa bên trong), phát hiện 2 người đã tử vong nên tiến hành phong tỏa hiện trường để điều tra vụ việc.Theo đó, 2 người tử vong được xác định là ông L.C.T (65 tuổi) và bà H.T.N (64 tuổi, cùng ngụ xã Long Mỹ, H.Mang Thít, Vĩnh Long). Một số người cho biết, vợ chồng ông T. và bà N. đến đây thuê trọ khoảng 2 năm nay, sống bằng nghề buôn bán quần áo. Bà N. mắc bệnh nặng.Vụ hai vợ chồng tử vong đang được công an điều tra làm rõ.
