$875
Cung cấp các dịch vụ và sản phẩm chất lượng của xem bong da truc tiep. Tận hưởng chất lượng và sự hài lòng từ xem bong da truc tiep.Báo Thanh Niên cập nhật nhanh nhất kết quả xổ số (KQXS), kết quả xổ số miền Bắc (XSMB), kết quả xổ số miền Nam (XSMN), kết quả xổ số miền Trung (XSMT), kết quả xổ số điện toán trực tiếp nhanh nhất hôm nay thứ năm ngày 9.1.2025.KQXS Tây Ninh, An Giang, Bình Thuận, Bình Định, Quảng Trị, Quảng Bình...ngày 9.1.2025 ngày 9.1.2025 Ký hiệu trúng đặc biệt: Mời bạn đọc xem kết quả xổ số (KQXS) miền Bắc (XSMB), kết quả xổ số miền Nam (XSMN), kết quả xổ số miền Trung (XSMT) được cập nhật trên Báo Thanh Niên mỗi ngày. ️
Cung cấp các dịch vụ và sản phẩm chất lượng của xem bong da truc tiep. Tận hưởng chất lượng và sự hài lòng từ xem bong da truc tiep.Thay vì để nhiên liệu hạt nhân đã qua sử dụng nằm không, các nhà nghiên cứu tại Đại học bang Ohio (OSU, Mỹ) đã phát triển một phương pháp mới, biến chất thải này thành một loại pin không bao giờ cần sạc lại.Phương pháp của nhóm nghiên cứu dựa trên việc sử dụng tinh thể phát quang - một vật liệu có khả năng hấp thụ bức xạ gamma và phát ra ánh sáng. Khi kết hợp với các tế bào năng lượng mặt trời, hệ thống này có thể thu nhận ánh sáng phát ra và chuyển đổi nó thành điện năng. Khác với các loại pin thông thường, pin từ chất thải hạt nhân sẽ tiếp tục sản xuất điện miễn là vật liệu phóng xạ còn hoạt động, có thể kéo dài trong nhiều thập kỷ.Hiện tại hệ thống này chỉ sản xuất được microwatt điện, nhưng ngay cả ở quy mô nhỏ, nó cũng có thể phục vụ cho các ứng dụng năng lượng thấp như cảm biến vi mô và thiết bị giám sát bức xạ. Trong các thử nghiệm, nhóm nghiên cứu đã sử dụng hai loại chất phóng xạ: Cesium-137 (một sản phẩm phân hạch phổ biến) có thể tạo ra 288 nanowatt điện và Cobalt-60 (được sử dụng trong điều trị bức xạ y tế) tạo ra 1,5 microwatt.Mặc dù sản lượng hiện tại còn thấp, các nhà nghiên cứu tin rằng việc mở rộng công nghệ, chẳng hạn như sử dụng tinh thể phát quang lớn hơn, có thể nâng cao công suất lên mức watt... Khi đó, pin hạt nhân sẽ trở nên khả thi cho các ứng dụng lớn hơn.Một loại pin có thể hoạt động trong nhiều thập kỷ mà không cần bảo trì sẽ mang lại nhiều lợi ích, đặc biệt ở những khu vực khó khăn trong việc thay đổi nguồn điện. Những pin này có thể hỗ trợ cho các sứ mệnh không gian xa hơn trong tương lai, nơi nguồn năng lượng lâu dài là rất quan trọng. Ngoài ra, chúng cũng có thể được sử dụng trong các thiết bị thăm dò dưới nước và trong những môi trường khắc nghiệt, nơi việc sạc lại pin là khó khăn.Khi năng lượng hạt nhân dự kiến sẽ tiếp tục mở rộng, việc tìm kiếm giải pháp tái sử dụng các sản phẩm phụ của nó trở nên cấp thiết hơn bao giờ hết. Nếu công nghệ này được hoàn thiện, nó có thể cung cấp một phương pháp thực tiễn để tạo ra năng lượng sạch, bền vững, đồng thời giảm thiểu nhu cầu lưu trữ chất thải nguy hại. ️
Ngày 29.1 (mùng 1 Tết), mạng xã hội TikTok đăng tải 2 đoạn clip được cho là ở khoa Cấp cứu Bệnh viện đa khoa (BVĐK) Vĩnh Long với nội dung "các bác sĩ tắc trách khiến bé gái 3 tuổi tử vong". 2 đoạn clip này lan truyền trên các nền tảng mạng xã hội khác và nhận được nhiều thông tin trái chiều.Cùng ngày, trao đổi với PV Thanh Niên, ông Nguyễn Thanh Truyền, Giám đốc BVĐK Vĩnh Long cho biết, bệnh viện đã có báo cáo sự việc cho Sở Y tế Vĩnh Long.Theo ông Truyền, bệnh nhi là bé gái L.T.V. (3 tuổi, ở xã Tân Hạnh, H.Long Hồ, Vĩnh Long), nhập viện tại BVĐK Vĩnh Long lúc 9 giờ 23 ngày 27.1 trong tình trạng nôn ói, tiêu lỏng. Sau đó, bệnh nhi được nhập viện điều trị tại Khoa nhi với chẩn đoán rối loạn tiêu hóa, tiêu chảy cấp không mất nước."Bệnh nhi được theo dõi, điều trị theo phác đồ của Bộ Y tế. Đến 15 giờ ngày 28.1, bệnh nhi và người nhà không có mặt tại phòng bệnh. Qua trích xuất camera an ninh của bệnh viện cho thấy bệnh nhi và người nhà tự ý rời viện 13 giờ 42 ngày 28.1. Lúc rời viện bé tỉnh, đi vững", ông Truyền nói.Đến 17 giờ 45 cùng ngày (28.1), bệnh nhi này được đưa vào nhập viện tại khoa Cấp cứu với biểu hiện hôn mê, tím tái (mạch = 0, huyết áp = 0; mắt trũng sâu; đồng tử 2 bên 5 mm, không phản xạ ánh sáng; ngưng tim). Sau 30 phút tích cực cấp cứu, bệnh nhi được xác định đã tử vong.Giám đốc BVĐK Vĩnh Long cho biết, quá trình tiếp nhận, chẩn đoán và xử trí bệnh nhân của bệnh viện khẩn trương, tích cực, kịp thời, giải thích cụ thể chi tiết và điều trị đúng theo phác đồ điều trị của Bộ Y tế. Tuy nhiên, người nhà vẫn ghi hình và sau đó đăng tải trên mạng xã hội. Sau khi sự việc xảy ra, cơ quan công an đã vào cuộc xác minh sự việc.Theo ông Truyền, bệnh nhi được người nhà tự đưa về trong tình trạng tri giác tỉnh táo, đi đứng bình thường (thông qua hình ảnh từ camera). Tuy nhiên, trong 4 giờ bệnh nhi về nhà (từ 13 giờ 42 đến 17 giờ 45 ngày 28.1), khả năng bệnh nhi còn tiêu lỏng, nôn ói nhiều lần sau đó nhưng người nhà không theo dõi phát hiện kịp thời dẫn đến tình trạng mất nước nặng (mắt trũng sâu, ngưng tuần hoàn hô hấp). Vì vậy, khi bệnh nhi quay trở lại bệnh viện cấp cứu, hồi sức không hiệu quả, dẫn đến tử vong. ️
Theo TomsHardware, tại sự kiện Investor Day (Mỹ) diễn ra tuần trước, Sandisk đã giới thiệu nền tảng UltraQLC, công nghệ đóng vai trò quan trọng trong việc phát triển ổ SSD có dung lượng lên đến 1 petabyte (PB). UltraQLC không phải là một loại bộ nhớ độc lập mà là sự kết hợp giữa BICS 8 QLC 3D NAND, bộ điều khiển với 64 kênh NAND và phần mềm tối ưu hóa.Bộ điều khiển đóng vai trò then chốt trong nền tảng này, tích hợp các bộ tăng tốc phần cứng chuyên biệt giúp giảm độ trễ, tăng băng thông và cải thiện độ tin cậy. Ngoài ra, nó có thể điều chỉnh công suất tiêu thụ theo nhu cầu xử lý, tối ưu hóa hiệu suất năng lượng.Theo Sandisk, các ổ SSD UltraQLC ban đầu sẽ sử dụng chip nhớ 2 terabit (Tb) NAND, cho phép tạo ra các ổ có dung lượng 128 terabyte (TB). Trong tương lai, với sự ra đời của các chip NAND dung lượng lớn hơn, công ty đặt mục tiêu phát triển ổ SSD 256 TB, 512 TB và cuối cùng là 1 PB. Tuy nhiên, việc tăng dung lượng đồng nghĩa với nguy cơ suy giảm hiệu năng, điều mà Sandisk cần giải quyết để đảm bảo ổn định hệ thống.Bên cạnh UltraQLC, Sandisk cũng đề cập đến một công nghệ quan trọng khác: DRAM 3D. Khi nhu cầu bộ nhớ ngày càng tăng do sự phát triển của trí tuệ nhân tạo (AI) và các mô hình ngôn ngữ lớn (LLM), công ty nhận định rằng phương pháp mở rộng DRAM truyền thống đang dần không đáp ứng được yêu cầu. Tuy nhiên, dù đã nghiên cứu trong thời gian dài, Sandisk thừa nhận vẫn chưa có lộ trình rõ ràng cho DRAM 3D do các thách thức công nghệ quá lớn.Thay vì tập trung vào DRAM 3D, Sandisk đang tìm kiếm giải pháp thay thế như bộ nhớ hiệu suất cao (HBF), giúp tăng khả năng mở rộng bộ nhớ mà không phụ thuộc vào phương pháp truyền thống. Trong khi đó, một số cách tiếp cận khác như đầu tư mạnh vào sản xuất DRAM hay phát triển DRAM theo hướng 3D vẫn được xem xét nhưng chưa khả thi trong thời điểm hiện tại. ️