Gầm cầu vượt thành nơi buôn bán
Ngày mùng 1 Tết Nguyên đán Ất Tỵ 2025, rất đông người dân, du khách đã đổ xô về trung tâm TT.Lao Bảo để tham quan, chụp ảnh với cặp đôi linh vật rắn đang rất “hot” trên mạng xã hội.Không chỉ người dân ở Lao Bảo mà còn có cả những du khách ở các huyện thị lân cạnh không quản ngại đường xa để lên vùng biên giới “check-in” với cặp linh vật rắn vô cùng đáng yêu."Tôi ở Đông Hà lên đây vì năm nay nghe Lao Bảo có một cặp linh vật rắn rất là đẹp nên từ sáng sớm đã lặn lội lên đây từ lúc 8 rưỡi ai ngờ lên thì đông quá, bon chén sáng giờ thì giờ mới chụp hình được, siêu đẹp luôn mọi người", chị Nguyễn Thị Trang (TP.Đông Hà) chia sẻ. Nhiều người dân đánh giá cao về vẻ đẹp ngoại hình của cặp đôi linh vật rắn cũng như ý nghĩa sâu sắc khi tượng trưng cho tình hữu nghị hai nước Việt – Lào.Bên cạnh tâm điểm là linh vật rắn, xung quanh khuôn viên cũng được trang trí cờ, hoa rực rỡ để người dân thỏa sức được tham quan, chụp ảnh, ghi lại những khoảnh khắc đoàn tụ, ấm áp với gia đình, bạn bè ngày đầu năm mới.Dự kiến, cặp đôi linh vật rắn sẽ thu hút từ 5.000 – 7.000 lượt khách ghé thăm và là địa điểm lý tưởng để người dân du xuân, đón tết.Tin tức thời tiết hôm nay 22.5.2024: Tây nguyên, Nam bộ tiếp tục mưa lớn
Hiện, di tích đền Tranh tọa lạc trên khuôn viên rộng rãi với 34 gian lớn nhỏ, bao gồm 7 gian tiền tế, 7 gian trung từ, 7 gian nhà nối, 3 gian cổ dải, 3 gian hậu cung, 7 gian đông vu và nhiều công trình phụ trợ khác.
Hải Phòng: Hàng nghìn học sinh, sinh viên hào hứng tham gia giải chạy S-Race
Theo WCCF Tech, sau nhiều thế hệ 'giậm chân tại chỗ' với pin 5.000 mAh trên dòng Galaxy S, Samsung dường như đang ấp ủ một bước đột phá lớn về dung lượng pin cho thế hệ Galaxy S26.Theo nhiều nguồn tin, gã khổng lồ công nghệ Hàn Quốc đang cân nhắc áp dụng công nghệ pin silicon-carbon tiên tiến, cho phép tăng dung lượng pin lên tới 7.000 mAh.Việc chuyển đổi sang pin silicon-carbon được xem là chìa khóa để Samsung vượt qua giới hạn 5.000 mAh, vốn đã trở nên 'chật chội' so với nhu cầu ngày càng cao của người dùng. Nếu thông tin này là sự thật, Galaxy S26 sẽ trở thành một trong những smartphone có dung lượng pin lớn nhất trên thị trường, hứa hẹn thời gian sử dụng vượt trội.Người dùng có quyền kỳ vọng vào một sự thay đổi mang tính cách mạng từ Samsung. Pin dung lượng lớn hơn không chỉ giúp kéo dài thời gian sử dụng, mà còn mở ra những khả năng mới cho các tính năng và ứng dụng 'ngốn' pin.Tuy nhiên, công nghệ mới nào cũng đi kèm với những thách thức. Samsung được cho là đang lo ngại về độ ổn định của pin silicon-carbon, đặc biệt khi họ là nhà sản xuất smartphone Android lớn nhất thế giới. Rủi ro về các vấn đề tương thích, quá nhiệt, hoặc thậm chí là cháy nổ (như sự cố Galaxy Note 7 trước đây) là hoàn toàn có thể xảy ra.Samsung không phải là nhà sản xuất duy nhất quan tâm đến công nghệ pin silicon-carbon. Apple cũng được đồn đoán sẽ trang bị loại pin này cho iPhone trong tương lai. Cuộc đua giữa hai ông lớn công nghệ càng trở nên nóng bỏng hơn bao giờ hết.
Theo TomsHardware, tại sự kiện Investor Day (Mỹ) diễn ra tuần trước, Sandisk đã giới thiệu nền tảng UltraQLC, công nghệ đóng vai trò quan trọng trong việc phát triển ổ SSD có dung lượng lên đến 1 petabyte (PB). UltraQLC không phải là một loại bộ nhớ độc lập mà là sự kết hợp giữa BICS 8 QLC 3D NAND, bộ điều khiển với 64 kênh NAND và phần mềm tối ưu hóa.Bộ điều khiển đóng vai trò then chốt trong nền tảng này, tích hợp các bộ tăng tốc phần cứng chuyên biệt giúp giảm độ trễ, tăng băng thông và cải thiện độ tin cậy. Ngoài ra, nó có thể điều chỉnh công suất tiêu thụ theo nhu cầu xử lý, tối ưu hóa hiệu suất năng lượng.Theo Sandisk, các ổ SSD UltraQLC ban đầu sẽ sử dụng chip nhớ 2 terabit (Tb) NAND, cho phép tạo ra các ổ có dung lượng 128 terabyte (TB). Trong tương lai, với sự ra đời của các chip NAND dung lượng lớn hơn, công ty đặt mục tiêu phát triển ổ SSD 256 TB, 512 TB và cuối cùng là 1 PB. Tuy nhiên, việc tăng dung lượng đồng nghĩa với nguy cơ suy giảm hiệu năng, điều mà Sandisk cần giải quyết để đảm bảo ổn định hệ thống.Bên cạnh UltraQLC, Sandisk cũng đề cập đến một công nghệ quan trọng khác: DRAM 3D. Khi nhu cầu bộ nhớ ngày càng tăng do sự phát triển của trí tuệ nhân tạo (AI) và các mô hình ngôn ngữ lớn (LLM), công ty nhận định rằng phương pháp mở rộng DRAM truyền thống đang dần không đáp ứng được yêu cầu. Tuy nhiên, dù đã nghiên cứu trong thời gian dài, Sandisk thừa nhận vẫn chưa có lộ trình rõ ràng cho DRAM 3D do các thách thức công nghệ quá lớn.Thay vì tập trung vào DRAM 3D, Sandisk đang tìm kiếm giải pháp thay thế như bộ nhớ hiệu suất cao (HBF), giúp tăng khả năng mở rộng bộ nhớ mà không phụ thuộc vào phương pháp truyền thống. Trong khi đó, một số cách tiếp cận khác như đầu tư mạnh vào sản xuất DRAM hay phát triển DRAM theo hướng 3D vẫn được xem xét nhưng chưa khả thi trong thời điểm hiện tại.
Michelin chỉ cách du khách thưởng thức 7 món ngon Việt Nam như người địa phương
Chiều 16.1, đại diện Viện KSND TP.HCM luận tội và đề nghị mức án đối với 13 bị cáo khác trong vụ án "vi phạm quy định về đấu thầu gây hậu quả nghiêm trọng", "lợi dụng chức vụ, quyền hạn trong khi thi hành công vụ" xảy ra tại Trung tâm Nghiên cứu triển khai Khu công nghệ cao TP.HCM (Trung tâm R&D), Công ty T.S.T, Sở KH-ĐT và các đơn vị liên quan.Theo cáo trạng, năm 2016, TP.HCM triển khai 2 dự án công nghệ, gồm dự án đầu tư nâng cấp và mua sắm máy móc thiết bị phục vụ nghiên cứu và sản xuất thử nghiệm sản phẩm vi cơ điện tử (tức dự án Mems) và dự án trang thiết bị phòng thí nghiệm phục vụ công tác bảo tồn, lai tạo, phát triển nguồn giống nấm phục vụ sản xuất nông nghiệp và xử lý môi trường (hay dự án Nấm).Trung tâm R&D là đơn vị trực thuộc Ban Quản lý Khu công nghệ cao TP.HCM là chủ đầu tư dự án Mems. Ban Quản lý khu nông nghiệp công nghệ cao TP.HCM là chủ đầu tư dự án Nấm.Đại diện Viện KSND TP.HCM khẳng định, bị cáo Hoàng Minh Bá (cựu Giám đốc Công ty T.S.T) giữ vai trò chủ mưu, chỉ đạo các bị cáo cấp dưới để “thông thầu”, gây thiệt hại cho Nhà nước hơn 39 tỉ đồng. Do đó, Viện kiểm sát đề nghị HĐXX tuyên bị cáo Bá từ 8 - 9 năm tù. Các đồng phạm giúp sức cho bị cáo Bá "thông thầu", Viện kiểm sát đề nghị mức án từ 3 - 9 năm tù. Đối với 2 cựu lãnh đạo tại Sở KH-ĐT TP.HCM, cựu Phó giám đốc Trần Thị Bình Minh và bị cáo Phan Tất Thắng (cựu Phó trưởng phòng Kinh tế) vì vụ lợi đã ký các quyết định phê duyệt dự án, kế hoạch lựa chọn nhà thầu, dự toán hai dự án không đúng với quy định, giúp bị cáo Bá gây thiệt hại cho Nhà nước hơn 39 tỉ đồng.Sau khi Công ty T.S.T trúng thầu, bị cáo Minh đã nhận của Bá 1 tỉ đồng, Thắng nhận 350 triệu đồng.Vì vậy, Viện kiểm sát đề nghị bị cáo Trần Thị Bình Minh từ 7 - 8 năm tù, bị cáo Thắng từ 4 - 5 năm tù.Về trách nhiệm dân sự, Viện kiểm sát đề nghị HĐXX buộc Hoàng Minh Bá bồi thường hơn 39 tỉ đồng cho Trung tâm R&D, và Ban Quản lý khu nông nghiệp công nghệ cao TP.HCM.Sau phần luận tội, luật sư đang lần lượt bào chữa cho các bị cáo. Tháng 7.2024, TAND TP.HCM xét xử sơ thẩm và tuyên phạt bị cáo Trần Thị Bình Minh 7 năm 6 tháng tù, Phan Tất Thắng 4 năm 6 tháng tù về tội lợi dụng chức vụ, quyền hạn trong khi thi hành công vụ do có sai phạm liên quan đến Công ty AIC của Nguyễn Thị Thanh Nhàn và Trung tâm Công nghệ sinh học TP.HCM.
